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【2h】

A Sub-Threshold 8T SRAM Macro with 12.29 nW/KB Standby Power and 6.24 pJ/access for Battery-Less IoT SoCs

机译：具有12.29 nW / KB待机功耗和6.24 pJ /访问的亚阈值8T sRam宏，适用于无电池物联网soC

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Farah B. Yahya; Harsh N. Patel; James Boley; Arijit Banerjee; Benton H. Calhoun;
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年度 2016
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1. A Sub-Threshold 8T SRAM Macro with 12.29 nW/KB Standby Power and 6.24 pJ/access for Battery-Less IoT SoCs [J] . Farah B. Yahya, Harsh N. Patel, James Boley, Journal of Low Power Electronics and Applications . 2016,第2期

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3. 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm　256-Kb　サブ　10pJ/access動作8T　SRAM [J] . 吉本　秀輔, 寺田　正治, 梅木　洋平, 電子情報通信学会技術研究報告 . 2012,第170期

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